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Ⅰ ／ — 犌犅犜21944．3 2008 碳化硅特种制品反应烧结碳化硅窑具第部分：辊棒 3 1 范围／的本部分规定了反应烧结碳化硅窑具———辊棒的产品分类、技术要求、试验方法、检 GBT21944 验规则及标志、包装、运输、贮存等。本部分适用于工作温度不高于 1350℃的反应烧结碳化硅辊棒（以下简称“辊棒”）。 2 规范性引用文件下列文件中的条简称对辊破或双辊破，适用于水泥、化工、电力、矿山、冶金、建材、耐火材料、煤矿等行业对尺寸小于150mm物料的中碎和细碎，如煤、煤矸石、焦碳、石灰石、铁矿石、石英石、硫矿石等。破碎的物料通颚式破碎机与对辊式破碎机鄂破与对辊破对比不 IGBT能抗 6微秒短路性能，碳化硅可能2 微秒都不到。所以，瞬态电流过大后，碳化硅有失效的风险。 2）可靠性层面∶被驱动电压的大小，抗干扰能力等因素影响。碳化硅比硅挑战更大。 3）应用层面∶变化速率快，电机要求更高，有技术挑战。 Q∶IGBT 本身有 BJT 和三极管的结合。如果换成碳化硅，只是一个MOS管? IGBT本身电流驱动，达林顿碳化硅，最近产业专家访谈资料！就像今年，几乎所有芯片

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碳化硅是由碳和硅组成的ⅣⅣ族化合物半导体材料，具有多种同素异构类型，是世界上硬度排名第三的物质，在热、化学和机械方面都非常稳定。在物理性质上，SiC 具有高硬度、高耐磨性、高导热率、高热稳定性以及散热性好的特点；在化学性质上，SiC 表面易形成硅氧化物薄膜以防止其进一步氧化，但在高温下该氧化膜会迅速发生氧化反应。碳我们认为，衬底价格下降是推动碳化硅产业链发展的核心环节，衬底行业的发展也是未来SiC产业降本增效和商业化落地的核心驱动因素。一第三代半导体：更先进的材料，更优异的产品特性实现对电能高效转换和控制是电力电子领域关键步骤第三代半导体行业深度研究：电力电子器件领域，碳化硅

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